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半导体工艺设备

简介:

光刻机

产品详情

光刻机 / 紫外曝光机  Mask Aligner

产地:美国韩国;

型号:M 200, M-150;

 

技术规格:

1)  样品台

     X/Y移动范围:+/-10mm ;

     Z移动范围:1500um ;

 千分尺:0.001, 0.0001 ;

 旋转:+/-3.5° ;

2)   模板尺寸:最大9 X 9 ;

3)   光源尺寸:最大8 X 8 ;

4)   光源功率

  紫外:200W, 350W, 500W, 1000W, 2000W ;

  深紫外:500W, 1000W, 2000W ;

5)   曝光时间调节器:1 ~ 999(精度1)0.1 ~ 99.0(精度0.1)

6)   尺寸:高度(940mm) X 宽度(788mm) X 深度(635mm);重量:250磅;

 

仪器特点:

1  模板夹具、衬底夹具,易于更换;

2  对准精度:优于1um

3  选配的背面光刻对准精度:3-5um

4  紫外光源波长可快速改变;

5  曝光强度控制精度:+/-2%

6  可以选配纳米压印模块(NIL)

7  可以选配微流控模块;

 

应用领域:

1  MEMS ;

2  纳米压印(NIL) ;

3  微流控(Microfluidics);

4  纳米技术;

5  II-VIIII-V半导体器件制造;

6  光刻工艺;

7  LCDFED显示;

8  MCMs ;

9  薄膜器件;

10)太阳能电池;

11 SAW器件;

 

参考用户:

广东工业大学等..

 光刻机

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